電子芯片和LED芯片有什么主要區(qū)別？
1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個量級，但同樣大小的集成電路里面有非常復(fù)雜的電路（常說的7nm/10nm工藝），IC設(shè)計和制造一樣為非常復(fù)雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設(shè)計制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的Fabless公司及臺積電這樣的代工廠；而分立器件一顆die就是獨立的一個發(fā)光源再加上正負電極，里面的制程可能100um/10um級就夠了，制造工藝流程也簡單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨立的LED IC設(shè)計公司。
2，芯片制造廠對清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動速度上不來，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對發(fā)光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個數(shù)量級（印象中數(shù)據(jù)），否則嚴重影響發(fā)光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術(shù)和產(chǎn)品已有幾十年歷史，但大規(guī)模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來的事情，材料不行導(dǎo)致發(fā)光效率低是首要原因。
隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越多，特別是白光LED的出現(xiàn)，更是成為半導(dǎo)體照明的熱點。
但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。
提高功率意味著芯片的使用電流加大，較為直接的辦法是加大芯片尺寸，現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問題成為突出問題，現(xiàn)在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。
隨著LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用會面臨一個從未有的機遇和挑戰(zhàn)。
藍光LED通常采用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率低，如果采用正裝結(jié)構(gòu)，一方面會帶來防靜電問題，另一方面，在大電流情況下散熱也會成為較為主要的問題。
同時由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發(fā)光效率會降低。
大功率藍光LED通過芯片倒裝技術(shù)可以比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)得到更多的有效出光。
現(xiàn)在主流的倒裝結(jié)構(gòu)做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片，同時制備出比藍光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)線層(超聲金絲球焊點)。
然后，利用共晶焊接設(shè)備將大功率藍光LED芯片與硅襯底焊接在一起。
這種結(jié)構(gòu)的特點是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠遠低于藍寶石襯底，所以散熱的問題很好地解決了。
由于倒裝后藍寶石襯底朝上，成為出光面，藍寶石是透明的，因此出光問題也得到解決。
以上就是LED技術(shù)的相關(guān)知識，相信隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，未來的LED燈回越來越高i效，使用壽命也會由很大的提升，為我們帶來更大便利。
LED模組是LED產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣的產(chǎn)品，在結(jié)構(gòu)方面和電子方面也存在很大的差異。簡單的就是用一個裝有LED的線路板和外殼就成了一個LED模組，復(fù)雜的就加上一些控制，恒流源和相關(guān)的散熱處理使LED壽命和發(fā)光強度更好。
led模組分類
1、從發(fā)光顏色來分：單色模組、雙色模組以及全彩模組；
2、從使用空間來分：室內(nèi)模組、半戶外模組以及戶外模組；
3、按LED燈珠功率分：小功率（0.3W以下）、中功率（0.3-0.5W）、大功率（1W及以上）；
以上信息由專業(yè)從事LED模組經(jīng)銷商的杰生半導(dǎo)體于2025/1/4 10:10:09發(fā)布
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